EDI模塊 (電除鹽)出水硅含量高通常由以下原因導致:
進水水質問題
硅含量過高:進水 SiO? 濃度超標(建議控制<0.5ppm)會導致陰離子交換膜表面沉積硅垢,難以通過常規清洗去除。
硬度離子 超標:鈣、鎂等硬度離子與硅共同作用易形成復合垢,堵塞流道并降低產水效率。
有機物 污染:水中有機物(如TOC>0.5ppm)會形成污染層,阻礙離子遷移并可能造成樹脂中毒。
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運行參數異常
進水壓力 過高:長期高壓可能導致膜片穿孔或樹脂壓實,增加硅離子泄漏風險。
電流 控制不當:電流過高或過低均會影響離子遷移效率,間接導致硅去除率下降。
設備維護問題
保安過濾器 缺失:未安裝保安過濾器會導致雜質(含硅化合物)直接進入EDI模塊,加速樹脂污染。
清洗周期過長:硅垢未及時清除會逐漸堵塞膜堆,降低產水純度。
需結合水質監測數據調整預處理工藝(如增加 RO系統 維護),并優化
EDI模塊運行參數(如壓力、電流),必要時更換受損模塊組件